飓芯科技申请淘汰半导体激光芯片泄电流专利低重激光器的阈值电流

  邦度常识产权局消息显示,广西飓芯科技有限负担公司申请一项名为“一种半导体激光芯片”的专利,公然号CN121355699A,申请日期为2025年9月。

  专利摘要显示,本发觉涉及一种半导体激光芯片,由下至上按序为蕴涵衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、耗尽区调治层、绝缘层、P面电极,所述耗尽区调治层位于P型半导体层和绝缘层之间。该半导体激光芯片通过配置耗尽区调治层为金属层,而且耗尽区调治层的功函数小于P型半导体层的功函数,耗尽区调治层与P型半导体层的毗邻区为肖特基接触区,欺骗肖特基接触的电压调治机制,通过对耗尽区调治层加电压感化于接触界面时,势垒高度变大,增大耗尽区的规模,可能将空穴的行为边境与接触界面的边境拉开,更好的束缚空穴溢出,下降激光器的泄电流,进而下降激光器的阈值电流,进步激光器的发光效果。

  天眼查原料显示,广西飓芯科技有限负担公司,创设于2020年,位于柳州市,是一家以从事化学原料和化学成品制作业为主的企业。企业注册资金10300万群众币。通过天眼查大数据剖判,广西飓芯科技有限负担公司加入招投标项目10次,专利消息26条,别的企业还具有行政许可19个。

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